„SK hynix“ šiandien, 2020 m. spalio 6 d., pristatė pirmąją pasaulyje naujos kartos operatyviąją atmintį – DDR5 DRAM arba „Double-Data-Rate Five Dynamic Random Access Memory“.
Ką tik anonsuoti produktai yra optimizuoti dirbtiniam intelektui, mašininiam mokymuisi ir didžiųjų duomenų programoms. Palyginti su ankstesnės kartos DDR4 atmintimi, visos pagrindinės charakteristikos buvo patobulintos.
Naujoji SK „hynix“ atmintis užtikrina duomenų perdavimo spartą kontaktui 4800–5600 Mbps – 1,8 karto didesnę už DDR4 atminties bazinius rodiklius. Tuo pat metu maitinimo įtampa buvo sumažinta nuo 1,2 iki 1,1 V, o tai padidina energijos vartojimo efektyvumą.
Įdiegtas klaidų korekcijos ECC (Error Correcting Code) palaikymas. Pranešime žiniasklaidai teigiama, kad to dėka programų patikimumas padidės 20 kartų, palyginti su ankstesnės kartos atmintimi.
Galiausiai pabrėžiama, kad naudojant „Through-Silicon-Via“ (TSV) gamybos technologiją, „SK hynix DDR5 DRAM“ modulių talpa gali siekti iki 256 GB.
Iš pradžių DDR5 DRAM pateks į serverių segmentą. „SK hynix“ pažymi, kad naujos kartos atmintis žymiai sumažins duomenų centro energijos sąnaudas ir išlaikymo išlaidas, tuo pačiu padidins patikimumą ir našumą.
Komentarai